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GaN更大的优势是，具有能耐受极高温度的极其坚固的结构。恩智浦的GaN晶体管可指 定250 °C的最高温度，相比之下，Si LDMOS为225 °C。在如此高温环境下，更需要能够充分利用此特性的封装技术。因此，... [详细]